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EP300C硅片边缘抛光系统，主要应用于12寸硅片边缘抛光，是一款采用CMP(化学机械抛光)技术的硅片边缘超精密处理设备，主要去除硅片倒角时砂轮造成的应力和磨痕，避免或减少了后续芯片制造过程中的破片和颗粒的产生。该系统集成边缘抛光和清洗干燥系统，实现FOUP to FOUP全自动化生产，符合SEMI标准，适用于OHT自动搬运系统。
感应加热碳化硅粉料合成炉采用感应加热方式，专为高纯碳化硅粉体合成设计。设备温场均匀、升温迅速、热效率高，可精准控制合成温度与炉内气氛，有效降低杂质引入，保障粉料纯度与结晶度。整机自动化程度高、运行稳定、操作便捷，适用于高品质碳化硅原料的规模化生产，为后续碳化硅单晶生长提供优质原料保障。
电阻加热碳化硅粉料合成炉专为高纯碳化硅粉体合成工艺设计，采用电阻加热结构，温场稳定、控温精准、运行可靠。设备炉膛密封性优良，气氛控制稳定，可有效降低杂质引入，保障粉料纯度。 整机自动化程度高、操作简便、运行成本低，支持单炉次百公斤级碳化硅原料规模化生产，生产效率突出。设备配备专用坩埚吊装机构与工装，方便大吨位装料、卸料及热场安装维护，使用便捷高效，可为碳化硅单晶生长提供稳定、优质的原料保障。
氮化铝长晶炉采用 PVT 物理气相传输法，专为高质量 AlN 单晶生长设计，具备超高温稳定控温、晶体升降旋转、温场均匀等特点，可制备低缺陷、大尺寸氮化铝单晶。 终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。