产品中心
← 返回上一级
感应加热碳化硅粉料合成炉采用感应加热方式，专为高纯碳化硅粉体合成设计。设备温场均匀、升温迅速、热效率高，可精准控制合成温度与炉内气氛，有效降低杂质引入，保障粉料纯度与结晶度。整机自动化程度高、运行稳定、操作便捷，适用于高品质碳化硅原料的规模化生产，为后续碳化硅单晶生长提供优质原料保障。
电阻加热碳化硅粉料合成炉专为高纯碳化硅粉体合成工艺设计，采用电阻加热结构，温场稳定、控温精准、运行可靠。设备炉膛密封性优良，气氛控制稳定，可有效降低杂质引入，保障粉料纯度。
整机自动化程度高、操作简便、运行成本低，支持单炉次百公斤级碳化硅原料规模化生产，生产效率突出。设备配备专用坩埚吊装机构与工装，方便大吨位装料、卸料及热场安装维护，使用便捷高效，可为碳化硅单晶生长提供稳定、优质的原料保障。
氮化铝长晶炉采用 PVT 物理气相传输法，专为高质量 AlN 单晶生长设计，具备超高温稳定控温、晶体升降旋转、温场均匀等特点，可制备低缺陷、大尺寸氮化铝单晶。
终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。
MSIR1050铸锭炉，是采用定向凝固法生长高品硅晶体的专用设备。该设备结构合理，加工工艺精良；采用电阻加热方式，三个独立控制的电源模块，可方便的构建晶体生长所需的温度梯度；设备主要由支撑平台、炉体、坩埚运动机构、下法兰升降机构、抽空系统、气路、冷却水路、电源及控制系统组成。可以实现从抽空、检漏、炉压及氩气流量控制、加热、融化、长晶、退火等全过程的自动控制，可满足生长Φ626×424.5的大尺寸多晶硅晶体，多应用于半导体刻蚀用硅部件材料。
TC-SCR2295真空炉设备采用化学气相沉积（CVD）工艺，通过在高温和受控气氛条件下，于石墨或碳基等基材表面沉积高纯度、致密的碳化硅（SiC）涂层，采用多段电阻加热方式，实现对料区内部的精准控温。具备多样可选的进气方式和温流场控制、工艺稳定性高、高可靠传动结构与集成设计等特点。
终端产品主要应用于半导体设备（等离子体刻蚀机、薄膜沉积（CVD/PVD）设备、外延反应器等）核心工艺腔室内的关键耗材与部件防护场景；在光伏行业、航空航天军工领域也有广泛应用，是上述高端制造业中提升核心部件寿命、保障工艺安全与稳定、降低综合成本的关键支撑技术。
HVPE法单晶生长设备采用 氢化物气相外延法，专为2/4寸高质量氮化镓厚膜生长设计，具备单炉多片生长、温场均匀、晶体升降旋转等特点，特殊结构设计可大幅减少寄生反应。本设备工艺稳定、生长速率高，具备良好的可控性和重复性。
终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。