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SCMP8单面抛光机用于6/8吋硅片、碳化硅衬底等材料的高精度表面抛光加工，可有效去除研磨损伤层并获得纳米级表面粗糙度。设备采用高稳定抛光平台与精密压力控制系统，配合优化的CMP工艺，实现优异的平坦度和表面质量，适用于功率器件及高端衬底材料制造。
SCMT8全自动晶圆减薄机用于6/8吋硅、碳化硅等半导体衬底材料的高精度减薄加工，广泛应用于功率器件、射频器件及先进封装等领域。设备采用高刚性结构设计与高精度主轴系统，配合稳定的研磨工艺，可实现高效率、高精度的晶圆厚度控制和优异的表面质量。设备支持自动化上下料及在线厚度监测，适用于规模化生产。
SCMWC10 多线切割机专为碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体衬底及籽晶材料的高精度、高效率切片加工而设计，广泛应用于功率器件、射频器件等领域。设备融合了高刚性铸造切割室与恒定张力控制系统，结合精准的卷径算法，可实现晶片极高的TTV精度与极低的翘曲度，显著提升材料利用率。
EP300C硅片边缘抛光系统，主要应用于12寸硅片边缘抛光，是一款采用CMP(化学机械抛光)技术的硅片边缘超精密处理设备，主要去除硅片倒角时砂轮造成的应力和磨痕，避免或减少了后续芯片制造过程中的破片和颗粒的产生。该系统集成边缘抛光和清洗干燥系统，实现FOUP to FOUP全自动化生产，符合SEMI标准，适用于OHT自动搬运系统。