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SCG200系列单晶炉，主要应用于8英寸半导体级硅片的制造，该设备在设计上具有稳定的机械结构，以抑制晶体生长过程中的振动干扰；同时配备高精度温度控制模块，确保固液界面处于稳定的热场环境中；此外还集成了自动化控制系统，实现对晶体提拉速度、旋转速率及炉内气压等多参数的精准调控，保障整个长晶工艺的一致性与重复性。
SCG300型半导体级单晶炉，主要应用于12英寸硅片制造，满足19nm及以下先进制程工艺的生产要求。经过多年的技术升级与创新，该产品在稳定性、品质提升及自动化控制等方面成效显著，助力实现大硅片的规模化国产供应。
SCG400系列半导体单晶炉是面向大尺寸化与高性能化需求而研发的核心装备，其核心应用聚焦于12至18英寸重掺硅片的制造。该设备通过集成先进的磁场直拉（MCZ）技术与高精度热场控制系统，有效解决了重掺杂条件下晶体生长易产生缺陷、电阻率均匀性控制难等工艺瓶颈。它能够稳定拉制出满足IGBT、MOSFET和二极管等作为功率器件制造所需的衬底材料。
SCG600型半导体级单晶炉是专为半导体设备零部件及耗材市场打造的核心装备，其核心应用聚焦于18至24英寸超大直径硅部件及高纯硅耗材的制造。它能够稳定拉制出适用于半导体刻蚀、薄膜沉积等核心工艺腔室的高品质硅环、硅电极及硅托盘材料，满足先进制程对零部件高纯度、高耐热及高机械强度的严苛要求。