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MSIR1050铸锭炉，是采用定向凝固法生长高品硅晶体的专用设备。该设备结构合理，加工工艺精良；采用电阻加热方式，三个独立控制的电源模块，可方便的构建晶体生长所需的温度梯度；设备主要由支撑平台、炉体、坩埚运动机构、下法兰升降机构、抽空系统、气路、冷却水路、电源及控制系统组成。可以实现从抽空、检漏、炉压及氩气流量控制、加热、融化、长晶、退火等全过程的自动控制，可满足生长Φ626×424.5的大尺寸多晶硅晶体，多应用于半导体刻蚀用硅部件材料。
TC-SCR2295真空炉设备采用化学气相沉积（CVD）工艺，通过在高温和受控气氛条件下，于石墨或碳基等基材表面沉积高纯度、致密的碳化硅（SiC）涂层，采用多段电阻加热方式，实现对料区内部的精准控温。具备多样可选的进气方式和温流场控制、工艺稳定性高、高可靠传动结构与集成设计等特点。 终端产品主要应用于半导体设备（等离子体刻蚀机、薄膜沉积（CVD/PVD）设备、外延反应器等）核心工艺腔室内的关键耗材与部件防护场景；在光伏行业、航空航天军工领域也有广泛应用，是上述高端制造业中提升核心部件寿命、保障工艺安全与稳定、降低综合成本的关键支撑技术。
HVPE法单晶生长设备采用 氢化物气相外延法，专为2/4寸高质量氮化镓厚膜生长设计，具备单炉多片生长、温场均匀、晶体升降旋转等特点，特殊结构设计可大幅减少寄生反应。本设备工艺稳定、生长速率高，具备良好的可控性和重复性。 终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。
高压长晶炉采用电阻加热方式，专为高压环境下采用熔液提拉法生长碲锌镉、磷化铟、砷化镓晶体设计。设备主要由机架组件、炉室组件、加热系统、籽晶驱动系统、坩埚驱动系统、炉盖开盖机构、气路系统、真空系统、冷却系统、自动控制系统、报警系统及人机交互系统构成。设备搭载自主研发的全自动计算机控制系统，可实现抽真空、检漏、炉压调节、工艺气体配比及晶体生长全流程自动化控制。 终端产品广泛应用于光通信、高频射频、光电传感、航空航天、量子技术等高端领域，是制备关键半导体衬底材料的核心装备。