欢迎访问晶升的官方网站
025-87131100
sales@cgee.com.cn
EN
首页
关于我们
公司简介
核心团队
发展历程
企业文化
荣誉资质
产品中心
硅基半导体设备
半导体级单晶硅炉
光伏级单晶硅炉及控制系统
碳化硅半导体设备
单晶炉
外延炉
热场耗材
晶体加工设备
多线切割机
全自动晶圆减薄机
单面抛光机
硅片边缘抛光系统
其他晶体设备
感应加热碳化硅粉料合成炉
电阻加热碳化硅粉料合成炉
氮化铝长晶炉
多晶硅铸锭炉
碳化硅涂层设备
HVPE法单晶生长设备
高压炉通用平台
石材多线切割设备
服务与支持
售前
售中
售后
投资者关系
公司公告
互动交流
新闻中心
公司新闻
展会与活动
人才招聘
人才理念
招聘岗位
联系我们
在线留言
济宁HVPE法单晶生长设备
HVPE法单晶生长设备采用 氢化物气相外延法,专为2/4寸高质量氮化镓厚膜生长设计,具备单炉多片生长、温场均匀、晶体升降旋转等特点,特殊结构设计可大幅减少寄生反应。本设备工艺稳定、生长速率高,具备良好的可控性和重复性。 终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。