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HVPE法单晶生长设备采用 氢化物气相外延法，专为2/4寸高质量氮化镓厚膜生长设计，具备单炉多片生长、温场均匀、晶体升降旋转等特点，特殊结构设计可大幅减少寄生反应。本设备工艺稳定、生长速率高，具备良好的可控性和重复性。
终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。