欢迎访问晶升的官方网站
产品中心
← 返回上一级
SCMLD335双腔碳化硅外延炉，用于6/8寸碳化硅外延生长，终端产品应用于功率电子、射频通信和光电子等高技术领域，尤其是在需要耐高压、耐高温、高频和高效率的场景中表现尤为突出。设备结构紧凑，占地面积小。热场兼容性高、清理与维护操作简省力。
碳化钽涂层石墨件，专为半导体设备热场应用设计，适用于单晶生长、外延生长、MOCVD等核心工艺。通过化学气相沉积在高纯石墨表面形成致密碳化钽涂层，凭借高熔点、抗热震及耐等离子体腐蚀特性，有效抵御高温卤素气氛侵蚀，显著延长石墨件寿命；同时涂层极低金属释放率保障晶圆洁净度，提升薄膜生长质量与良率。涂层厚度均匀可控，热场适配性强，技术指标达到国内一流、国际先进水平。
SCMT8全自动晶圆减薄机用于6/8吋硅、碳化硅等半导体衬底材料的高精度减薄加工，广泛应用于功率器件、射频器件及先进封装等领域。设备采用高刚性结构设计与高精度主轴系统，配合稳定的研磨工艺，可实现高效率、高精度的晶圆厚度控制和优异的表面质量。设备支持自动化上下料及在线厚度监测，适用于规模化生产。
SCMWC10 多线切割机专为碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体衬底及籽晶材料的高精度、高效率切片加工而设计，广泛应用于功率器件、射频器件等领域。设备融合了高刚性铸造切割室与恒定张力控制系统，结合精准的卷径算法，可实现晶片极高的TTV精度与极低的翘曲度，显著提升材料利用率。
EP300C硅片边缘抛光系统，主要应用于12寸硅片边缘抛光，是一款采用CMP(化学机械抛光)技术的硅片边缘超精密处理设备，主要去除硅片倒角时砂轮造成的应力和磨痕，避免或减少了后续芯片制造过程中的破片和颗粒的产生。该系统集成边缘抛光和清洗干燥系统，实现FOUP to FOUP全自动化生产，符合SEMI标准，适用于OHT自动搬运系统。
感应加热碳化硅粉料合成炉采用感应加热方式，专为高纯碳化硅粉体合成设计。设备温场均匀、升温迅速、热效率高，可精准控制合成温度与炉内气氛，有效降低杂质引入，保障粉料纯度与结晶度。整机自动化程度高、运行稳定、操作便捷，适用于高品质碳化硅原料的规模化生产，为后续碳化硅单晶生长提供优质原料保障。
