碳化钽（TaC）涂层石墨件

碳化钽涂层石墨件，专为半导体设备热场应用设计，适用于单晶生长、外延生长、MOCVD等核心工艺。通过化学气相沉积在高纯石墨表面形成致密碳化钽涂层，凭借高熔点、抗热震及耐等离子体腐蚀特性，有效抵御高温卤素气氛侵蚀，显著延长石墨件寿命；同时涂层极低金属释放率保障晶圆洁净度，提升薄膜生长质量与良率。涂层厚度均匀可控，热场适配性强，技术指标达到国内一流、国际先进水平。

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产品特点

采用CVD工艺制备碳化钽涂层，厚度均匀可控，致密结构可完全阻隔石墨基体与反应气体接触，涂层纯度达99.999%以上，耐卤素及强腐蚀性气氛侵蚀;

涂层与基体结合强度优异，在室温至2000℃剧烈热循环下可长期服役，显著延长石墨件使用寿命，降低设备维护频率;

精准调控CVD沉积参数，可获得柱状晶或细晶等不同微观织构，完美匹配从长晶到外延的多样化工艺环境;

关键公差<±0.05mm，全流程SPC管控结合唯一身份追溯，保障批次一致性，为规模化量产提供可靠支撑。