SCG300系列半导体级单晶硅炉
SCG300型半导体级单晶炉，主要应用于12英寸硅片制造，满足19nm及以下先进制程工艺的生产要求。经过多年的技术升级与创新，该产品在稳定性、品质提升及自动化控制等方面成效显著，助力实现大硅片的规模化国产供应。
产品特点
温度梯度协同调控
热场实现轴向/径向温度梯度精准协同控制，配合独特加热器结构设计，提升拉晶工艺稳定性与一致性。 01 | 视觉精密调控
新一代视觉系统结合独创算法，实现液口距高精度控制，抑制晶体生长缺陷。 02 | 控制算法
通过成熟的多嵌套式PIDF控制、温度控制、锁拉速控制等智能算法，提升了系统的控制精度，可满足晶体的高品质稳定生长，满足19nm以下逻辑器件对硅片体微缺陷及均匀性的严苛要求。 03 | 全面工艺支持与定制化
系列先进算法助力新产品开发与高品质单晶规模化生产，提供全程工艺支持。 04 |
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