SCG400系列半导体级单晶硅炉
SCG400系列半导体单晶炉是面向大尺寸化与高性能化需求而研发的核心装备，其核心应用聚焦于12至18英寸重掺硅片的制造。该设备通过集成先进的磁场直拉（MCZ）技术与高精度热场控制系统，有效解决了重掺杂条件下晶体生长易产生缺陷、电阻率均匀性控制难等工艺瓶颈。它能够稳定拉制出满足IGBT、MOSFET和二极管等作为功率器件制造所需的衬底材料。
产品特点
大尺寸设计
设备具有大尺寸、高抽速的真空系统设计，能够满足大尺寸晶体生长的环境要求。 01 | 先进的控制系统
配备了先进的液面距测量、宽幅炉压精确控制以及氧化物处理等系统，以实现对晶体生长过程的精准控制。 02 | 可控掺杂机构
配备多工位掺杂剂定量供给系统，实现生长过程掺杂剂的精准可控，有效减少了掺杂剂的挥发。 03 | 产品能力
采用该设备生长的晶体，能够满足12-18英寸重掺硅单晶制造的性能指标要求。 04 |
产品咨询
*注意：请确保填写准确信息并保持顺畅沟通。我们将尽快与您联系